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J-GLOBAL ID：201802245094848403   整理番号：18A0968328

光学的方法による窒素ドープおよびホウ素ドープ単結晶HPHTダイヤモンドにおける非平衡キャリア寿命の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigating non-equilibrium carrier lifetimes in nitrogen-doped and boron-doped single crystal HPHT diamonds with an optical method

著者 (9件)： Song Y. (Institute of Wide Bandgap Semiconductors, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Peng B. D. (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Song G. Z. (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Yue Z. Q. (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Li B. K. (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Ma J. M. (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Sheng L. (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Duan B. J. (State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect, Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710024, China) ,  Wang H. X. (Institute of Wide Bandgap Semiconductors, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 2  ページ： 022103-022103-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非破壊光学法を用いて,窒素ドープおよびホウ素ドープ単結晶HPHTダイヤモンドにおける非平衡キャリア寿命を調べた。この方法では,ファイバを用いて,プローブビームを両側研磨試料に送り,約10μmの空間分解能で屈折率変化を直接測定するために,前面と後部表面から反射した干渉ビームを収集した。各試料の数点でのキャリア寿命を調べ,不純物濃度との関係を解析した。窒素不純物はキャリア寿命を効果的に低減できる。高速で遅いキャリア再結合成分が,それぞれ深いトラップと補償されたホウ素不純物によって引き起こされるホウ素ドープ試料中に見出された。この研究方法は,高い空間分解能でダイヤモンド中の不純物濃度を推定するためのスキームも提供できる。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ホウ素 ,  不純物濃度 ,  *窒素 ,  研磨 ,  *非平衡状態 ,  不純物 ,  *単結晶 ,  干渉 ,  高速度 ,  空間分解能 ,  *ドーピング ,  キャリア再結合 ,  *キャリア寿命 ,  *ダイヤモンド
準シソーラス用語： *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 光学 ,  窒素ドープ ,  ホウ素 ,  ドープ ,  単結晶 ,  ダイヤモンド ,  非平衡 ,  キャリア寿命 ,  研究