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J-GLOBAL ID：201802245097405368   整理番号：18A1044618

14nmノードのためのSTI HARPギャップ充填厚み均一性の改善【JST・京大機械翻訳】

STI HARP gap-fill thickness uniformity improvement for 14nm nodes

著者 (7件)： Wang Minrui (AME - CVD, GLOBALFOUNDRIES, Malta, USA) ,  Kim Hui (AME - CVD, GLOBALFOUNDRIES, Malta, USA) ,  Lee Yang Bum (AME - CVD, GLOBALFOUNDRIES, Malta, USA) ,  Fonda Francis (AME - CVD, GLOBALFOUNDRIES, Malta, USA) ,  Lansford Jeremy (AME - CVD, GLOBALFOUNDRIES, Malta, USA) ,  Martiniano Jim (CVD, Applied Materials, Malta, USA) ,  Carter Harold (CVD, Applied Materials, Malta, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ASMC  ページ： 386-389  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高アスペクト比プロセス(HARP)は,4xnmノードとそれ以上の浅いトレンチアイソレーション(STI)に対するギャップ充填要件を扱う非プラズマベースのCVD酸化膜である。IC技術が14nm FINFETプロセッサに進むにつれて,高アスペクト比プロファイルに対する良好なギャップ充填性能の他に,下流化学機械研磨(CMP)マイクロスクラッチを低減するためのキャッピング層厚均一性が重要なプロセス課題になっている。本研究において,著者らは,HARPギャップ充填プロセスの間,ウエハ中心点厚さを上げるために,中心孔面板を適合させて,ポストCMPドーナツ領域マイクロ引かき低減のための厚さ均一性を改善した。その結果,中心穴面板により,HARPギャップ充填膜は良好な厚さ均一性を有し,ウエハ中心から端部までの厚さ範囲が減少することを示した。CMPプロセス後の下流ウエハ上の明視野走査とSEMレビューにより,ドーナツ領域微小引かき欠陥が減少することを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査 ,  *演算プロセッサ ,  層厚 ,  化学機械研磨 ,  酸化膜
準シソーラス用語： 明視野 ,  高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ノード ,  STI ,  HARP ,  ギャップ ,  厚み均一性