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J-GLOBAL ID：201802245282147108   整理番号：18A0339957

ジチオフェン系ジブロック分子接合の電気伝導率【Powered by NICT】

Electrical conductivity of dithiophene-based diblock molecular junctions

著者 (5件)： El-Nahas Ahmed M. (Chemistry Department, Faculty of Science, El-Menoufia University, Shebin El-Kom 32512, Egypt) ,  Gamea Ahmed (Chemistry Department, Faculty of Science, El-Menoufia University, Shebin El-Kom 32512, Egypt) ,  El-Hendawy Morad M. (Department of Chemistry, Faculty of Science, Assuit University, New Valley Campus, Egypt) ,  Yoshizawa Kazunari (Institute for Materials Chemistry and Engineering, Kyushu University, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, Japan) ,  Yoshizawa Kazunari (International Institute for Carbon-Neutral Energy Research (WPI-I2CNER), Kyushu University, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, Japan)
資料名： Computational & Theoretical Chemistry  (Computational & Theoretical Chemistry)
巻： 1099  ページ： 64-74  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2300A  ISSN： 2210-271X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジチオフェン部分(Diheterocyclopentadieneジチオフェンジチオール,DXDTDT)を含むジブロック分子を通る電子輸送を,密度汎関数理論と組み合わせた非平衡Green関数法を用いて研究した。五分子接合のI-V特性を計算した。最高整流比(RR=3.4)RR=1.7 3.4の中程度の電流整流ショー得られた結果は,0.3VでDBDTDTに関して記録した。負性微分抵抗(NDR)挙動をジボロールジチオフェンジチオール(DBDTDT),Disiloleジチオフェンジチオール(DSiDTDT),Diarisoleジチオフェンジチオール(DADTDT)に対して報告されている,1.00~1.21ピーク対谷比(PVR)の範囲であった。著者らの知見は,透過スペクトルおよび分子投影自己無撞着なhamiltonの観点から解釈した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *電気伝導率 ,  密度汎関数法 ,  電流電圧特性 ,  整流
準シソーラス用語： 透過スペクトル ,  負性微分抵抗 ,  整流比 ,  非平衡Green関数 ,  電子輸送 ,  *分子接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ジブロック ,  ジチオフェン ,  電子輸送 ,  電流整流 ,  負性微分抵抗

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  その他の接合  (BM03088W) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (4件)： ジブ ,  ロック ,  分子接合 ,  電気伝導率