文献

J-GLOBAL ID：201802245296222821   整理番号：18A0959166

シリコンPINダイオードにおける逆回復特性の数値モデリング【JST・京大機械翻訳】

Numerical modeling of reverse recovery characteristic in silicon pin diodes

著者 (2件)： Yamashita Yusuke (University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Tadano Hiroshi (University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 145  ページ： 8-18  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡単な形状として逆回復波形を近似することにより,シリコンピンダイオードの新しい数値逆回復モデルを提案した。これは,適合方程式と適合パラメータによって調整されることなく,数値方程式を用いて逆回復特性を計算する最初のモデルである。数値モデルの妥当性と精度を検証するために,モデルからの計算結果を装置シミュレーション結果を通して検証した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  シミュレーション ,  *PINダイオード
準シソーラス用語： 数値モデル ,  *数値モデリング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  PINダイオード ,  回復 ,  数値モデリング