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J-GLOBAL ID：201802245308433481   整理番号：18A1941714

準安定Ge_0.81Sn_0.19ナノワイヤの電気特性評価と温度誘起劣化の検討【JST・京大機械翻訳】

Electrical characterization and examination of temperature-induced degradation of metastable Ge_0.81Sn_0.19 nanowires

著者 (6件)： Sistani M. (TU Wien, Institute of Solid State Electronics, Floragasse 7, 1040 Vienna, Austria) ,  Seifner M. S. ,  Bartmann M. G. ,  Smoliner J. ,  Lugstein A. ,  Barth S.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 41  ページ： 19443-19449  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準安定ゲルマニウム-スズ合金はオプトエレクトロニクスと光学のための有望な材料である。ここでは,溶液に基づくプロセスで成長させた高結晶性Ge_0.81Sn_0.19ナノワイヤの最初の電気的キャラクタリゼーションを示した。調べたGe_0.81Sn_0.19ナノワイヤは,約1×10~-4Ωmの範囲のナノワイヤ材料の抵抗率を有するオーム挙動を明らかにした。温度依存抵抗率測定は半導体挙動を示した。さらに,材料劣化を開始する中程度の温度への加熱によるデバイスの破壊を調べ,これらの高準安定材料の特性化とデバイス動作を注意深く行う必要があることを示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 半導体 ,  *ナノワイヤ ,  スズ合金 ,  キャラクタリゼーション ,  オプトエレクトロニクス ,  電気特性 ,  電気抵抗率 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 材料劣化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイヤ ,  電気特性 ,  評価 ,  誘起