文献

J-GLOBAL ID：201802245324266748   整理番号：18A1900213

電子パッケージングにおけるCoSn_3完全金属間継手の微細構造と成長挙動の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of microstructure and growth behavior of CoSn₃ full intermetallic joints in electronic packaging

著者 (4件)： Tian Shuang (Jiangsu Key Laboratory for Advanced Metallic Materials, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhang Xuemei (Jiangsu Key Laboratory for Advanced Metallic Materials, Southeast University, Nanjing, China) ,  Zhou Jian (Jiangsu Key Laboratory for Advanced Metallic Materials, Southeast University, Nanjing, China) ,  Xue Feng (Jiangsu Key Laboratory for Advanced Metallic Materials, Southeast University, Nanjing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEPT  ページ： 1051-1054  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の過渡液相(TLP)結合プロセスにおいて,純粋なSnをCuピラー上に電気めっきした。次に,Cuピラーを接合し,外部温度と圧力下でCu/IMC/Cu継手を形成した。しかし,温度と圧力は,いくつかの敏感な成分に対してしばしば高すぎる。低レベルの温度と圧力下で急速に製造できる代替包装構造を開発することは重要である。本研究の目的は,そのような目的のためにCo基板を用いることの実現可能性を調べることである。本研究では,厚さ80μmのSn箔と純粋なCo基板を用いてCo/Sn/Coサンドイッチ構造を作製した。継手を250°Cで時効し,界面IMCの成長を調べた。Co/IMC/Co完全IMC継手は低時効温度下で得られる。CoSn3界面IMCはSn/Co界面に形成された。CoSn3IMCの急速な成長は,Co/IMC/Coをバンプ金属の下で従来のCuを置き換える有望な構造にした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： サンドイッチ構造 ,  高速度 ,  *スズ ,  液相 ,  界面 ,  *微細構造 ,  バンプ ,  銅 ,  時効 ,  電気めっき

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子 ,  パッケージング ,  継手 ,  微細構造 ,  成長 ,  挙動 ,  研究