Cu_3Bi_3三元化合物で作製した薄膜光起電素子【JST・京大機械翻訳】

Hernadez-Mota J.; Espindola-Rodriguez M.; Sanchez Y.; Lopez Israel; Pena Y.; Saucedo E.

文献

J-GLOBAL ID：201802245357871602 整理番号：18A1488430

Cu_3Bi_3三元化合物で作製した薄膜光起電素子【JST・京大機械翻訳】

Thin film photovoltaic devices prepared with Cu₃BiS₃ ternary compound

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資料名：
巻： 87 ページ： 37-43 発行年： 2018年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

現在の商業的薄膜光起電力技術は,重要な原材料を含まない新しい技術を探求する必要性を動機付けて,乏しいおよび/または毒性元素の使用に依存している。本研究では,標準的な基板構成を用いて光起電力活性を証明した最初のCu_3BiS_3ベース太陽電池を報告した。吸収体は,金属スタック蒸発に基づく逐次プロセスとそれに続くS雰囲気下での反応性アニーリングを用いて合成した。組成(Cu/3:Bi比),金属スタック秩序,アニーリングパラメータおよびNaドーピングの最適化により,0.11%の記録変換効率を達成した。いくつかの特性化技術を組み合わせて,技術開発のこの段階で,組成,二次相および形態のような問題がこの材料で得られた低効率を説明できないことを示した。デバイスのより深い特性化を通して,おそらく,これは吸収体の高いドーピングと/または貧弱な輸送電荷特性のどちらかに関連することを見出した。これらの問題を理解し解決することは,より競争的な変換効率に向けてCu_3BiS_3ベースのデバイスの効率を改善するのに役立つ。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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太陽電池 , 固体デバイス材料

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