文献

J-GLOBAL ID：201802245462845030   整理番号：18A1334219

アルバックにおけるMRAM向け量産技術開発

Recent Developments in MRAM Mass-Production Technology in ULVAC

著者 (6件)： 山本弘輝 (アルバック 半導体電子技研) ,  難波隆宏 (アルバック 半導体電子技研) ,  加賀美剛 (アルバック 半導体電子技研) ,  KIM Ji-Heon (アルバック 半導体電子技研) ,  福本英範 (アルバック) ,  森本直樹 (アルバック)
資料名： ULVAC Technical Journal  (ULVAC Technical Journal)
号： 80  ページ： 8-12  発行年： 2017年02月01日 
JST資料番号： L3761A  ISSN： 0910-6189  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 簡単なモジュール構成とより小さなフットプリントを持つMRAM大量生産のためのスパッタリングツールを開発した。それは,3.5%のRA均一性を有する安定な磁性Co膜と低い損傷MgO膜を提供する。優れたMTJ層を作製するための,広い温度(-70°Cから600°C迄)の新プロセスも紹介した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： トンネル接合 ,  *MRAM ,  スパッタリング ,  *スパッタリング装置 ,  垂直磁気異方性 ,  積層構造 ,  磁性薄膜 ,  金属薄膜 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  多層膜
準シソーラス用語： MTJ ,  酸化物薄膜 ,  多層薄膜

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (6件)：

• H. Sato, E. C. I. Enobio, M. Yamanouchi, S. Ikeda, S. Fukami, S. Kanai, E Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 105, 062403 (2014).
• J. C. Slonczewski, J. Magn. Magn. Mater. 159, L1 (1996).
• H. Toyoda, K. Goto, T. Ishijima, T. Morita, N. Ohshima, and K. Kinoshita, Appl. Phys. Lett. 2, 126001 (2009).
• K. Ono, N. Ohshima, K. Goto, H. Yamamoto, T. Morita, K. Kinoshita, T. Ishijima, and H. Toyoda, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 023001 (2011).
• S. Isogami, M. Tsunoda, K. Komagaki, K. Sunaga, Y. Uehara, M. Sato, T. Miyajima, and M. Takahashi, Appl. Phys. Lett. 93, 192109 (2008)

タイトルに関連する用語 (3件)： MRAM ,  量産 ,  開発