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J-GLOBAL ID：201802245611524915   整理番号：18A2028857

焦点面アレイの開発のためのその場Zn拡散に及ぼすMOVPE反応器からのInPエピタキシャル層除去の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of InP epitaxial layer removal from an MOVPE reactor on in-situ Zn diffusion for the development of focal plane arrays

著者 (7件)： Rua M. G. (LabSem/CETUC, Pontifi ́cia Universidade Cato ́lica, Rio de Janeiro, 22451-900, Brazil) ,  Herculano E. P. (DISSE-Instituto Nacional de Cie^ncia e Tecnologia de Nanodispositivos Semicondutores, PUC-Rio, 22451-900, Brazil) ,  Kawabata R. (LabSem/CETUC, Pontifi ́cia Universidade Cato ́lica, Rio de Janeiro, 22451-900, Brazil) ,  Pinto L. D. (LabSem/CETUC, Pontifi ́cia Universidade Cato ́lica, Rio de Janeiro, 22451-900, Brazil) ,  Vieira G. S. (DISSE-Instituto Nacional de Cie^ncia e Tecnologia de Nanodispositivos Semicondutores, PUC-Rio, 22451-900, Brazil) ,  Pires M. P. (DISSE-Instituto Nacional de Cie^ncia e Tecnologia de Nanodispositivos Semicondutores, PUC-Rio, 22451-900, Brazil) ,  Souza P. L. (LabSem/CETUC, Pontifi ́cia Universidade Cato ́lica, Rio de Janeiro, 22451-900, Brazil)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： SBMicro  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面形状を用いた焦点面アレイの開発に応用するために,InPエピタキシャル層におけるZnの拡散を調べた。InP層は,成長と拡散の間のリソグラフィー過程を通し,それを空気に曝すことを意味する。この材料の表面再構成は,拡散中に再構成異方性が変化するにもかかわらず,空気曝露によって影響されないことを検証した。しかし,拡散が中断されると再確立される。一方,ドーピング拡散深さは,表面上に形成された避けられない酸化物障壁が拡散過程に直接影響するので,約30%短縮される。残念ながら,空気への曝露が必要である。従って,拡散条件は空気曝露段階を考慮して最適化することが基本的である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *MOCVD ,  異方性 ,  *亜鉛 ,  酸化物 ,  拡散過程 ,  最適化 ,  リソグラフィー ,  再構成 ,  ドーピング ,  *反応器 ,  表面再構成 ,  *リン化インジウム
準シソーラス用語： *エピタキシャル層 ,  *焦点面アレイ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： 焦点面アレイ ,  開発 ,  Zn ,  拡散 ,  MOVPE ,  反応器 ,  InP ,  エピタキシャル層