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J-GLOBAL ID：201802246014278688   整理番号：18A1676130

界面反応による緩衝YSZ基板上のエピタキシャル強誘電Hf_0.5Zr_0.5O_2薄膜【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial ferroelectric Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin film on a buffered YSZ substrate through interface reaction

著者 (12件)： Li Tao (School of Mechanical Engineering, Dongguan University of Technology, Dongguan 523808, P. R. China) ,  Zhang Nian ,  Sun Zhenzhong ,  Xie Chunxiao ,  Ye Mao ,  Mazumdar Sayantan ,  Shu Longlong ,  Wang Yu ,  Wang Danyang ,  Chen Lang ,  Ke Shanming ,  Huang Haitao
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 6  号： 34  ページ： 9224-9231  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,(001)-,(011)-および(111)-配向イットリア安定化ジルコニア(YSZ)基板上にTiNを底部電極として用いてエピタキシャルHf_0.5Zr_0.5O_2(HZO)膜を成長させるためにパルスレーザ蒸着を用いた。界面反応により形成されたTiO_2バッファ層がエピタキシャル成長の鍵であることが分かった。エピタキシャルHZO膜(~15nm厚さ)は7~30μCcm-2の残留分極と1.1~2.3MV cm-1の抗電場をもつ強誘電挙動を示した。圧電応答力顕微鏡を用いて,極性分域は,全ての膜において180°の相変化で書き込まれ,可逆的にスイッチされることができる。X線回折と高分解能透過型電子顕微鏡は,ナノ領域の存在を明らかにし,その界面が再構成によって緩和される異なる層の間の明確なエピタキシャル関係を明らかにした。X線吸収分光法は,HZOにおける強誘電性の微細構造起源への深い洞察を提供する。非中心対称Pca2_1相として現れる大きな界面歪安定化強誘電状態を観測した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *薄膜 ,  *界面 ,  分域 ,  微細構造 ,  バッファ層 ,  対称性 ,  強誘電性 ,  薄膜成長 ,  パルスレーザ蒸着 ,  X線回折 ,  *基板 ,  抗電場 ,  残留分極 ,  単相
準シソーラス用語： YSZ【セラミック】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面反応 ,  緩衝 ,  YSZ ,  エピタキシャル ,  薄膜