Morito Teruyuki について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8510, Japan について
Handa Yusuke について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8510, Japan について
Gotoh Yasuhito について
Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8510, Japan について
Sato Nobuhiro について
Institute for Integrated Radiation and Nuclear Science, Kyoto University, Kumatori, 590-0494, Japan について
Takagi Ikuji について
Department of Nuclear Engineering, Kyoto University, Kyoto, 615-8540, Japan について
Nagao Masayoshi について
Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST, Tsukuba, 305-8568, Japan について
Akiyoshi Masafumi について
Radiation Research Center, Osaka Prefecture University, Sakai, 599-8570, Japan について
Okamoto Tamotsu について
National Institute of Technology, Kisarazu College, Kisarazu, 292-0041, Japan について
IEEE Conference Proceedings について
電流電圧特性 について
真空容器 について
ロバスト性 について
γ線照射 について
絶縁層 について
ゲート電流 について
電界エミッタアレイ について
高線量率 について
図形・画像処理一般 について
高線量率 について
γ線照射 について
電界エミッタアレイ について