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J-GLOBAL ID：201802246304296065   整理番号：18A0203311

二重ゲートN~+ポケット基づくdopinglessトンネル電界効果トランジスタのTCADシミュレーション【Powered by NICT】

TCAD simulations of dual gate N⁺ pocket based dopingless tunnel field effect transistor

著者 (3件)： Naik Eslavath Raja (National Institute of Technology, Kurkshetra) ,  Chauhan Sudakar Singh (National Institute of Technology, Kurkshetra) ,  Verma Gaurav (National Institute of Technology, Kurkshetra)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RTEICT  ページ： 1592-1595  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二重ゲートN~+ポケットの2D性能解析に基づくdopinglessトンネル電界効果トランジスタ。提案した素子におけるN~+ポケットを,製作複雑さを増加させるすなわち,垂直TFETにおけるエピタキシャル成長と平面TFETにおけるイオン注入のいずれかであった。これを成功するために,電荷プラズマ概念のアイデアを用いて,イオン注入の別々の方法などを必要とせずに内蔵N+ポケットを提案し,提案したデバイス中のN+ポケットの使用は,主にトンネル長さ,トンネル電圧を減少させ,提案したデバイスの電気特性を改善することを減少させた。提案したデバイスのシミュレーション結果は,41mV/decade平均の低サブしきい値スイング(SS)を有していた。(SS)S3mV/decadeと良好なI_ON/I_OFF比1.25×10~11であった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気特性 ,  電荷 ,  性能分析 ,  *シミュレーション ,  イオン注入 ,  二次元 ,  電圧 ,  プラズマ
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  内蔵 ,  *TCAD ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *二重ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二重ゲート ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  TCAD ,  シミュレーション