文献

J-GLOBAL ID：201802246414221409   整理番号：18A1899086

SiCパワーMOSFETの静的および動的挙動を予測するための新しいモデリング手法【JST・京大機械翻訳】

A New Modeling Approach for Predicting the Static and Dynamic Behavior of SiC Power MOSFETs

著者 (4件)： AlHoussein Ali (VEDECOM ITE, Versailles, France) ,  Alawieh Hadi (VEDECOM ITE, Versailles, France) ,  Riah Zouheir (ESIGELEC University, Embedded Electronic Systems Research Institute (IRSEEM), Rouen, France) ,  Azzouz Yacine (ESIGELEC University, Embedded Electronic Systems Research Institute (IRSEEM), Rouen, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： EMC Europe  ページ： 648-653  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,スイッチモード電源のEMCシミュレーションで最終的に使用できる完全なモデルを得るために,スイッチング相の間の動的挙動を再現できることを強調して開発した新しいSiCパワーMOSFETモデルを示した。このモデルは,寄生要素と修正表現を追加したSPICEレベル-3MOSFETモデルに基づいている。静的および動的,モデリング方式およびモデル挙動を提示した。続いて,容量-電圧依存性,静的I-V特性および固有ダイオード特性を含むモデル特性の同定を可能にする一連の試験を行った。これらの試験は,手順の自動化とカスタム化を可能にするMATLABグラフィカルユーザインタフェイス(GUI)によって一緒にグループ化される。最後に,このモデルパラメータをベースラインデータに適合させるために開発した最適化アルゴリズムを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧依存性 ,  *炭化ケイ素 ,  シミュレーション ,  *モデリング ,  自動化 ,  スイッチング ,  GUI【計算機】 ,  基準線 ,  カスタム化
準シソーラス用語： 最適アルゴリズム ,  モデルパラメータ ,  MATLAB ,  寄生要素 ,  *動的挙動 ,  *パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  パワーMOSFET ,  動的挙動 ,  予測 ,  モデリング ,  手法