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J-GLOBAL ID:201802247032462747   整理番号:18A1981929

流通反応器を用いた化学浴析出により作製したエピタキシャルZnO膜の成長と電気的性質

Growth and Electrical Properties of Epitaxial ZnO Films Prepared by Chemical Bath Deposition Using a Flow Reactor
著者 (4件):
資料名:
巻: 59  号: 11  ページ: 1761-1766(J-STAGE)  発行年: 2018年 
JST資料番号: G0668A  ISSN: 1345-9678  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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透明なZnO半導体膜を形成する費用対効果の高い方法として水溶液を用いた析出法を開発した。硝酸亜鉛とヘキサメチレンテトラミンの溶液を用いた化学浴析出(CBD)は,水溶液を用いてZnOを成長させる最も一般的な方法の一つである。しかしながら,CBDにより成長させたZnO膜の電気的性質は広く研究されていない。本研究では,種々の析出条件下で流通反応器を用いてCBDによりエピタキシャルZnO膜を調製し,滑らかな表面を有する透明ZnO膜の成長に必要な温度と反応物濃度を決定した。透明ZnO膜の電気的性質を抵抗率とHall効果測定により調べた。ZnOの最速成長をもたらす反応溶液の最適流速も同定した。このような流速で成長させたZnO膜は最高の電気移動度を示した。最適条件下で成長させたZnO膜のキャリア濃度と移動度は,それぞれ1.2×1018cm-3と21cm2V-1s-1であった。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  固体デバイス製造技術一般 
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