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J-GLOBAL ID：201802247081551273   整理番号：18A1616994

Si基板上に成長させたGaNの歪状態と特性に対する炭素ドーピング濃度の依存性【JST・京大機械翻訳】

Dependence of carbon doping concentration on the strain-state and properties of GaN grown on Si substrate

著者 (10件)： Ni Yiqiang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Li Liuan (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  He Liang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Que Taotao (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Liu Zhenxing (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  He Lei (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Wu Zhisheng (Institute of Power Electronics and Control Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Liu Yang (School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Liu Yang (Institute of Power Electronics and Control Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China) ,  Liu Yang (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 120  ページ： 720-726  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si系上のGaNについて,炭素ドーピング濃度の歪状態と特性への依存性を詳細に調べた。XRDとRamanスペクトルの結果を組み合わせて,炭素濃度が臨界点より高いときに,圧縮応力が中程度の炭素濃度でGaNに導入され,一方,それが引張応力に変化することを見出した。可能な機構は,炭素が比較的小さな形成エネルギーのために相対的に低い炭素濃度でGaN中のN原子を置換する傾向があるが,炭素濃度が臨界レベルより高いとGa原子を置換することになる。これらの結果は光ルミネセンススペクトルによっても確認された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 臨界点 ,  *濃度依存性 ,  臨界 ,  X線回折 ,  *ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  *炭素 ,  圧縮応力 ,  引張応力 ,  *ガリウム ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  窒素原子 ,  形成エネルギー ,  *炭素ドーピング ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 炭素取り込み ,  歪状態 ,  Si上のGaN ,  光ルミネセンススペクトル ,  Ramanスペクトル

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  成長 ,  GaN ,  歪 ,  炭素ドーピング ,  依存性