Ni Yiqiang について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China について
Li Liuan について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China について
He Liang について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China について
Que Taotao について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China について
Liu Zhenxing について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China について
Wu Zhisheng について
Institute of Power Electronics and Control Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China について
Liu Yang について
School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China について
Liu Yang について
Institute of Power Electronics and Control Technology, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China について
Liu Yang について
State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Sun Yat-Sen University, Guangzhou, 510275, China について
Superlattices and Microstructures について
臨界点 について
濃度依存性 について
臨界 について
X線回折 について
ケイ素 について
窒化ガリウム について
炭素 について
圧縮応力 について
引張応力 について
ガリウム について
Ramanスペクトル について
光ルミネセンススペクトル について
窒素原子 について
形成エネルギー について
炭素ドーピング について
シリコンウエハ について
炭素取り込み について
歪状態 について
Si上のGaN について
光ルミネセンススペクトル について
Ramanスペクトル について
酸化物薄膜 について
不純物・欠陥の電子構造 について
Si基板 について
成長 について
GaN について
歪 について
炭素ドーピング について
依存性 について