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J-GLOBAL ID：201802247203539108   整理番号：18A0385176

異なる温度でのIV曲線からのSiPMの絶縁破壊電圧とトリガ確率【Powered by NICT】

Breakdown voltage and triggering probability of SiPM from IV curves at different temperatures

著者 (4件)： Dinu N. (Laboratory of Linear Accelerator & University Paris 11, CNRS/IN2P3, 91898 Orsay Cedex, France) ,  Dinu N. (ARTEMIS laboratory, CNRS/INSIS, UCA, OCA, F-06304, Nice Cedex, France) ,  Nagai A. (Laboratory of Linear Accelerator & University Paris 11, CNRS/IN2P3, 91898 Orsay Cedex, France) ,  Para A. (Fermi National Accelerator Laboratory, Batavia Il, 60510-5011 USA)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section A. Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment)
巻： 845  ページ： 64-68  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0208B  ISSN： 0168-9002  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 破壊電圧V_のような重要なデバイスパラメータとGeigerトリガ確率Pの形状を容易に決定可能にするSiPM検出器のIV曲線を記述する物理モデルを提示した。IV曲線を測定し,二供給者(3×3mmの2総面積と50×50μm2μcellサイズの浜松デバイス,0.5×0.5mm2総面積と50×50μm2μcellサイズの2011と2015年生産工程とKETEKデバイス,2015生産ラン)から種々のSiPMに及ぼす温度範囲 35°C<T<°CのIVモデルを試験した。IV曲線の形状は,すべての試験したデバイスの全動作範囲にわたって非常に大電流範囲10 12A<I後BD<10 5Aのin Geiger確率とアフターパルシングを用いて記述できる。IV曲線からV_はバイアス電圧の関数としての利得の線形フィットの通常法から決定された「破壊電圧」よりやや高かった(百mV)ことが分かった,この不一致は,これらの二つの方法により決定された「破壊電圧」の物理的重要性における基本的な違いを反映している。SiPMの最近の発生は非常に広い作動範囲を持ち,高バイアス電圧で電流の高速増加に寄与する加熱あるいは,パルスのようなアフターパルシングを超えた証拠現象である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： パルス ,  高速度 ,  線形性 ,  *利得 ,  生産工程 ,  検出器 ,  電流
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  大電流 ,  温度範囲 ,  物理モデル ,  *絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： シリコン光電子増倍器 ,  誘発確率Geiger ,  絶縁破壊電圧 ,  IVモデル

分類 (1件)： 素粒子・核物理実験技術一般  (BE01010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 曲線 ,  SiPM ,  絶縁破壊電圧 ,  トリガ ,  確率