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J-GLOBAL ID：201802247276254421   整理番号：18A0968315

Au(788)からのエッチング無し移動により作製したグラフェンナノリボン電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Graphene nanoribbon field-effect transistors fabricated by etchant-free transfer from Au(788)

著者 (4件)： Ohtomo Manabu (NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Sekine Yoshiaki (NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Hibino Hiroki (NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan) ,  Yamamoto Hideki (NTT Basic Research Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 2  ページ： 021602-021602-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アームチェア端グラフェンナノリボン(ACGNRs)とそれらの電界効果トランジスタ(FET)特性の高度に整列したアレイのエッチングフリーでヨウ素フリーの移動を報告する。それらをAu(788)テンプレート上での表面重合によって調製した。ACGNRsは機械的に剥離され,水素シルセスキオキサン(HSQ)から成るナノ多孔質支持層の助けを借りて絶縁基板上に移された。機械的層間剥離における重要な過程は,オクタンチオール自己集合単分子層(SAM)のインターカレーションであり,それはHSQ層を貫通し,ACGNRsとAu(788)の間にインターカレーションする。移動後,オクタンチオールSAMをPiranha溶液で除去し,Au単結晶の再利用を可能にした。移動ACGNRアレイで作製したFETはチャネル長が60nmと長いとき両極性挙動を示した。準一次元伝導率が観測され,これは移動後のGNRsの良好な整列を意味する。対照的に,短チャネルACGNR FET(チャネル長~20nm)は,幾何学的に依存する短チャネル効果を被る。この効果はチャネルに平行なACGNRsを持つFETにおいてより厳しく,チャネルに垂直なものより理想的な形状である。I_D-V_D曲線はべき乗則モデルに良く適合するので,短チャネル効果は空間電荷制限電流効果から生じる可能性があるが,GNRチャネルにおける広い電荷移動領域は短チャネル効果のもう一つの可能な原因となり得る。これらの結果は,改善された性能を有する短チャネルGNR-FETの設計に重要な洞察を提供する。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： チャネル ,  *金 ,  電荷移動 ,  短チャネル効果 ,  単結晶 ,  層間剥離 ,  インターカレーション ,  *FET【トランジスタ】 ,  *エッチング ,  空間電荷制限電流
準シソーラス用語： べき乗則 ,  短チャネル ,  チャネル長 ,  ナノポーラス ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Au ,  エッチング ,  作製 ,  グラフェンナノリボン ,  電界効果トランジスタ