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J-GLOBAL ID:201802247396836709   整理番号:18A1948706

CuInSe2とCuGaSe2の二層薄膜から作製した傾斜バンドギャップCuIn1-xGaxSe2薄膜太陽電池

Graded band gap CuIn1-xGaxSe2 thin film solar cells fabricated from bilayer thin films of CuInSe2 and CuGaSe2
著者 (1件):
資料名:
巻: 2017  ページ: ROMBUNNO.83 (WEB ONLY)  発行年: 2017年 
JST資料番号: U0002A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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CIGS薄膜太陽電池の作製にあたり,一般的に使用されている3段階蒸着プロセスにより作製されたものと比べて素子の効率を向上させるため,CIS/CGS二層とCGS/CIS/CGS三層の蒸着を採用した。吸収体中のInおよびGaの異なる拡散率によって吸収体の伝導帯における傾斜が生じ,二層および三層吸収体の蒸着でそれぞれ背面および二重Ga傾斜が得られた。背面Ga傾斜を持つCIS/CGS二層吸収体は,背面電場を支援することにより短絡電流密度(Jsc)の平均値が増加する傾向を示したが,平均開回路電圧(Voc)は前表面でのGa含有量の減少により著しく低かった。一方,CGS/CIS/CGS三層吸収体は二重Ga傾斜を示し,二層と比較してVocの増加を示した。1.8μm厚のCIS/CGS二層とCGS/CIS/CGS三層吸収体から作製した素子の最高効率は,それぞれ12.5%と15.5%の最大値を示した。1.8μm厚の二層および三層吸収体の外部量子効率(EQE)は,3段階プロセス吸収体のそれと比較して,可視および長波長の両方で増強を示した。0.8および1.2μm厚の三層吸収体は,1.8μm厚の二層吸収体のそれと同レベルの効率を維持できることを示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (3件):
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太陽電池  ,  半導体薄膜  ,  半導体結晶の電子構造 
引用文献 (30件):
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タイトルに関連する用語 (5件):
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