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J-GLOBAL ID：201802247545589935   整理番号：18A0967782

3nmまでの超薄領域における強誘電性HfO_2の発展【JST・京大機械翻訳】

Evolution of ferroelectric HfO₂ in ultrathin region down to 3 nm

著者 (6件)： Tian Xuan (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Hongo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Shibayama Shigehisa (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Hongo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Nishimura Tomonori (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Hongo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Yajima Takeaki (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Hongo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Migita Shinji (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba 305-8569, Japan) ,  Toriumi Akira (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Hongo, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 112  号： 10  ページ： 102902-102902-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄YドープHfO_2膜の強誘電特性を調べた。分極スイッチング中の変位電流の直接検出により,3nm厚YドープHfO_2において強誘電性を実験的に実証した。30~3nm範囲内のHfO_2厚さへの依存性は,強誘電特性が臨界厚さ以下で急速に減少することを明らかにした。超薄HfO_2領域において,より高いYドーピングまたは金属キャッピングアニーリングのような方法は,強誘電相をさらに安定化するために必要であった。これらの方法を用いて,3nm厚YドープHfO_2における5nmおよび10μC/cm2におけるスイッチ可能分極(P_sw)を35μC/cm2に増強することができた。本論文では,HfO_2強誘電性が極薄領域でもスケーラブルであることを示した。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 分極 ,  高速度 ,  分極反転 ,  ドーピング ,  スイッチ ,  *強誘電性
準シソーラス用語： 変位電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 強誘電性 ,  発展