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J-GLOBAL ID：201802247548407269   整理番号：18A1588239

半導体内蔵場におけるFranz-Keldysh効果:ドーピング濃度と空間電荷領域特性化【JST・京大機械翻訳】

Franz-Keldysh effect in semiconductor built-in fields: Doping concentration and space charge region characterization

著者 (2件)： Turkulets Yury (Department of Electrical and Computer Enginerring, Ben Gurion University, Beer Sheva 8410501, Israel) ,  Shalish Ilan (Department of Electrical and Computer Enginerring, Ben Gurion University, Beer Sheva 8410501, Israel)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 7  ページ： 075102-075102-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Franz-Keldysh効果は,高電場下での半導体の吸収端のスミアにおいて表現される。一方Franz[Z.Naturforsch]。13,484(1958)およびKeldysh[Sov]Phys.FluidsTP7,788(1958)は外部印加均一電場の限られた場合を考慮し,同じ効果は半導体表面と界面における内蔵電場によっても引き起こされる可能性がある。一方,最初のケースでは,バンドは線形に曲がり,後者の場合には,それらは放物線的に曲がっている。この非線形バンド曲がりは,これまで考慮されていなかった付加的な複雑さをもたらす。ここでは,線形モデルを拡張して非線形バンド曲がりの事例を扱った。次に,このモデルを用いて,光電流と光起電力スペクトルを定量的に解析し,内蔵場,表面状態電荷密度,および材料のドーピング濃度を決定する方法を示した。GaN/AlGaNヘテロ構造とGaAsバルクのモデルを用いた。結果は,同じ機構が光電流と光起電力スペクトルの両方におけるバンド端応答の基礎となり,重要な半導体材料パラメータの非接触抽出におけるモデルの定量的使用を実証した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  界面 ,  *キャラクタリゼーション ,  光電流 ,  窒化ガリウム ,  *空乏層 ,  電場 ,  光起電力 ,  線形性 ,  *半導体 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  バンド曲がり ,  印加電圧 ,  *内蔵 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (4件)： Franz-Keldysh効果 ,  ドーピング ,  空間電荷領域 ,  特性化