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J-GLOBAL ID：201802247939436872   整理番号：18A0912202

電子線照射されたSiにおけるC線付近の室温光ルミネッセンスの起源およびその炭素定量化への応用

Origin of room-temperature photoluminescence around C-line in electron-irradiated Si and its applicability for quantification of carbon

著者 (4件)： TAJIMA Michio (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  ISHIKAWA Yoichiro (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  KIUCHI Hirotatsu (Meiji Univ., Kawasaki, JPN) ,  OGURA Atsushi (Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 4  ページ： 041301.1-041301.5  発行年： 2018年04月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,広い照射帯域が,電子線照射されたSiの極低温で検出された炭素関連のC線の近傍で,室温で観測可能であることを実証した。そのスペクトル形状は,転位,酸素析出物および熱供与体によるバンドの類似の形状とは異なった。バンドは450°Cのアニールによって消滅し,バンド端放出に対する強度比はC線と同様に炭素濃度と正の相関を有した。本研究ではバンドがC線に非常に似た起源を有していることを推測し,この比率を指標として炭素定量の可能性について論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *電子照射 ,  *ケイ素 ,  *光ルミネセンス ,  *含有量 ,  極低温 ,  室温 ,  発光 ,  熱処理 ,  バンド端発光 ,  *炭素量
準シソーラス用語： *炭素含有量

分類 (3件)： 電子・陽電子との相互作用一般  (BK16051U) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (39件)：

• S. Kishino, Y. Matsushita, M. Kanamori, and T. Iizuka, Jpn. J. Appl. Phys. 21, 1 (1982).
• JETTA EM-3503 (2002).
• SEMI MF-1391-1107 (2004).
• T. Kojima, R. Suzuki, K. Kinoshita, K. Nakamura, A. Ogura, Y. Ohshita, E. Nishijima, I. Masada, N. Iida, and S. Tachibana, PVSEC-26, 2016, 2.1.1e.
• K. Kinoshita, T. Kojima, Y. Ohshita, and A. Ogura, PVSEC-27, 2017, 2.1.1e, p. 263.

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子線照射 ,  Si ,  室温 ,  光ルミネッセンス ,  起源 ,  炭素 ,  定量化 ,  応用