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J-GLOBAL ID：201802248031817767   整理番号：18A1112794

屈折ファセット側窓を持つFe/x-AlO_x/p-InGaAs接合に基づく横型スピンフォトダイオード【JST・京大機械翻訳】

A lateral-type spin-photodiode based on Fe/x-AlO_x/p-InGaAs junctions with a refracting-facet side window

著者 (4件)： Roca Ronel Christian (Laboratory for Future Interdisciplinary Research of Science and Technology, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Nishizawa Nozomi (Laboratory for Future Interdisciplinary Research of Science and Technology, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Nishibayashi Kazuhiro (Laboratory for Future Interdisciplinary Research of Science and Technology, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan) ,  Munekata Hiro (Laboratory for Future Interdisciplinary Research of Science and Technology, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 21  ページ： 213903-213903-10  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 素子のサイドエッジに屈折ファセットを持つ横型スピンフォトダイオードを提案し,室温で実証した。素子の側面に水平に光を放出し,スピン検出Fe接触下で薄いInGaAs活性層に直接導入し,スピン分極キャリアを発生させ,結晶性AlO_xトンネル障壁を通してFe接触に注入した。実験は,ヘリシティ依存性光電流成分ΔIが変換効率F≒0.4%で得られる円偏光分光法で行った。ここで,FはΔIと全光電流I_phの間の比である。この値は,純粋な横型スピンフォトダイオードに対して今までに報告された最高のものである。ドリフト拡散と量子トンネリング方程式からなるモデルによる解析により,F値を制限する因子は,半導体中のスピン分極電子が注入されるエネルギー領域におけるFeの非占有スピン分極状態密度であることを論じた。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 状態密度 ,  モデル ,  光電流 ,  *鉄 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  ヘリシティ ,  半導体 ,  スピン分極 ,  *ファセット ,  *屈折 ,  *接合 ,  変換効率
準シソーラス用語： F値 ,  ドリフト拡散 ,  トンネル障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 屈折 ,  ファセット ,  側窓 ,  Fe ,  InGaAs ,  横型 ,  スピン ,  フォトダイオード