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J-GLOBAL ID：201802248060232263   整理番号：18A0720726

マイクロ電気機械系フラックスゲートセンサの雑音解析と改善【JST・京大機械翻訳】

Noise analysis and improvement of a micro-electro-mechanical-systems fluxgate sensor

著者 (3件)： Lei Chong (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dongchuan Road 800, Shanghai 200240, China) ,  Sun Xue-Cheng (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dongchuan Road 800, Shanghai 200240, China) ,  Zhou Yong (Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Dongchuan Road 800, Shanghai 200240, China)
資料名： Measurement  (Measurement)
巻： 122  ページ： 1-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0315B  ISSN： 0263-2241  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Coベースの非晶質コアを有する集積マイクロソレノイドフラックスゲートセンサを,マイクロ電気機械システム(MEMS)技術に基づいて提示した。小型化の利点として,マイクロフラックスゲートセンサは100kHz~1MHzの広い励起周波数範囲で動作することが分かった。超低周波雑音(<0.1Hz)は,全励起周波数範囲の下でゼロ磁場時間領域信号取得において常に発生する。超低周波雑音を除去するために,センサの励起端の前に付加的な広帯域変圧器を配置した。600kHzで動作するセンサの雑音電力密度を解析した。結果は,雑音が変圧器なしで1.15nT/Hz~1/2@1Hzであり,変圧器で0.11nT/Hz~1/2@1Hzであり,一方,雑音rmsレベルは,50mHz-10Hzの周波数範囲で,それぞれ5.38nTと0.23nTであることを示した。MEMSマイクロフラックスゲートセンサのために,センサ信号システムのためのより厳しい電磁適合性設計が,電磁放射干渉と電圧擾乱から誘導される付加的雑音を除去するために必要である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 励起 ,  低周波雑音 ,  広帯域 ,  変圧器 ,  周波数 ,  MEMS ,  磁場 ,  小型化 ,  電磁波放射 ,  *雑音解析 ,  電磁両立性 ,  *センサ ,  *雑音 ,  *電気機械
準シソーラス用語： *フラックスゲートセンサ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： フラックスゲートセンサ ,  DCブロッキング ,  MEMS ,  騒音

分類 (1件)： 磁気の計測法・機器  (AD07060U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電気機械 ,  フラックスゲートセンサ ,  雑音解析