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J-GLOBAL ID：201802248099220640   整理番号：18A1300247

高移動度薄膜トランジスタのためのInZnOの大気圧プラズマ増強空間ALD【JST・京大機械翻訳】

Atmospheric plasma-enhanced spatial-ALD of InZnO for high mobility thin film transistors

著者 (12件)： Illiberi Andrea (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Katsouras Ilias (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Gazibegovic Sasa (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Cobb Brian (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Nekovic Elida (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  van Boekel Willem (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Frijters Corne (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Maas Joris (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Roozeboom Fred (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands and Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Creyghton Yves (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Poodt Paul (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Gelinck Gerwin (Holst Centre/TNO, High Tech Campus 31, 5600 AE Eindhoven, The Netherlands and Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 36  号： 4  ページ： 04F401-04F401-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,薄膜トランジスタのチャネル材料として酸化インジウム亜鉛,酸化インジウム亜鉛(InZnO,IZO)の成長を調べた。IZOは空間原子層堆積(S-ALD)を用いて大気圧と高蒸着速度で成長させた。ジエチル亜鉛とトリメチルインジウム蒸気の比を変えることにより,膜のIn/(In+Zn)比を酸化亜鉛から酸化インジウムまでの全範囲で正確に調整できた。In対Zn比が2:1の薄膜トランジスタは,30cm~2/Vsを超える高い電界効果移動度と優れた安定性を示した。110kHzで動作する19段リング発振器の形で大規模集積を実証した。これらの電気的特性は,原子層堆積の固有の利点と組み合わせて,将来のディスプレイ生産のためのS-ALDの大きな可能性を実証した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 表示装置 ,  LSI【IC】 ,  酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  電気的性質 ,  リング発振器 ,  酸化亜鉛 ,  *大気プラズマ
準シソーラス用語： 電界効果移動度 ,  蒸着速度 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (2件)： トリメチルインジウム ,  ジエチル亜鉛

タイトルに関連する用語 (5件)： 高移動度 ,  薄膜トランジスタ ,  大気圧プラズマ ,  増強 ,  ALD