文献

J-GLOBAL ID：201802248109249635   整理番号：18A1044908

エピフリーSiGe BiCMOSプロセスにおける新しいSTIスペーサの開発【JST・京大機械翻訳】

The development of novel STI spacer in an EPI free SiGe BiCMOS Process

著者 (3件)： Liu Donghua (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai, 200433, China) ,  Fang Ziquan (HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China) ,  Qian Wensheng (HuaHong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation, Shanghai 201206, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンゲルマニウム(SiGe)BiCMOSプロセスは高周波(RF)応用のための最新技術になっている。0.18um SiGe BiCMOSプロセス(BCS18)において,SiGe HBTの素子構造とプロセスは従来のものと著しく異なる。これらの違いには,エピタキシャル層(EPI)フリーおよび擬似埋込み層が含まれている。本論文は,STIスペーサプロセスの研究と開発に焦点を合わせた。最後に,BCS18におけるSTIスペーサプロセスの開発に成功した。STIスペーサ膜の厚さとプロフィルはすべて技術的要求を満たす。操作の長期間後,プロセスは安定状態にあり,プロセスウィンドウは十分な許容範囲を持ち,CP/CPKはターゲット内で制御でき,欠陥の数は非常に低いレベルで維持できる。これら全てのデータは,新しいSTIスペーサを用いたBCS18プロセスが生産に適用できることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 許容範囲 ,  素子構造 ,  HF【周波数】 ,  *BiCMOS ,  *スペーサ
準シソーラス用語： プロセスウィンドウ ,  埋込み層 ,  エピタキシャル層 ,  シリコンゲルマニウム ,  SiGe BiCMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  BiCMOS ,  プロセス ,  STI ,  スペーサ ,  開発