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J-GLOBAL ID：201802248161126624   整理番号：18A1136295

炭化ケイ素ナノチューブにおけるイオン照射誘起の新しい微細構造変化【JST・京大機械翻訳】

Ion irradiation-induced novel microstructural change in silicon carbide nanotubes

著者 (3件)： Taguchi Tomitsugu (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 2-4 Shirakata, Tokai-mura, Ibaraki-ken, 319-1106, Japan) ,  Yamamoto Shunya (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 2-4 Shirakata, Tokai-mura, Ibaraki-ken, 319-1106, Japan) ,  Ohba Hironori (National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology, 2-4 Shirakata, Tokai-mura, Ibaraki-ken, 319-1106, Japan)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 154  ページ： 90-99  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その場TEMを用いて,イオン照射下でのSiCナノチューブの微細構造変化を観察し,その結果はバルクSiCのものと著しく異なっていた。ナノチューブは照射による非晶質化に対して良好な抵抗を有し,室温でより高い臨界照射線量を有した。室温では,SiCナノチューブの外径と内径は完全な非晶質化まで照射中に増加し,その後減少した。SiC結晶の格子面間隔は,不規則性の増加によりイオンフルエンスの増加と共に増加した。700°Cでは,イオン照射の間,内部と外径の両方が非常に小さく変化した。そして,格子面間隔はわずかに減少し,バルクSiCの以前の研究と一致しない。その理由は,ナノチューブにおいて,残留応力をバッファする固有欠陥の数を低減できることである。構造欠陥とナノチューブ収縮を誘起する代わりに,残留応力を軽減するために,ナノチューブのSiC粒子において,より小さい結晶セグメントを有する新しい構造を作製した。これらの結果から,イオン照射は,材料のナノサイズ化とチューブ配置により,SiCナノチューブにおける新しい微細構造変化を明らかに誘導した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶 ,  *微細構造 ,  内径 ,  透過型電子顕微鏡 ,  アモルファス化 ,  *炭化ケイ素 ,  照射線量 ,  外径 ,  *イオン照射 ,  *ナノチューブ ,  面間隔 ,  残留応力
準シソーラス用語： 固有欠陥 ,  不規則性 ,  その場TEM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 炭化ケイ素 ,  ナノチューブ ,  微細構造 ,  照射効果 ,  その場透過型電子顕微鏡(TEM)

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭化ケイ素 ,  ナノチューブ ,  イオン照射 ,  誘起 ,  微細構造