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J-GLOBAL ID:201802248210575797   整理番号:18A1899193

傾斜電圧ストレスとオールインワン最尤適合を用いたSTT-MRAMにおける破壊の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of breakdown in STT-MRAM using ramped voltage stress and all-in-one maximum likelihood fit
著者 (7件):
資料名:
巻: 2018  号: ESSDERC  ページ: 146-149  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ST-MRAMのMgO障壁は,厚さが1nmで大電流で動作するので,絶縁破壊に敏感である。このような薄い酸化物障壁は破壊時間に大きな変動を示し,一定の電圧ストレスにより測定することが困難である。ランプ電圧ストレス(RVS)は,このような高い変動性の下での等価破壊時間分布を測定するのに適している。次に,破壊電圧を,階段状ランプを線形ランプに近似し,べき乗則電圧加速を仮定することにより,等価時間に変換した。しかし,この近似は破壊前に十分な(>300)電圧ステップがあるときのみ有効であることを見出した。さらに,異なる応力条件で測定されたすべてのデータに同時に適合する,よりロバストな全インワン最尤フィッティング法を提案した。さらに,異なる加速度モデルを含み,最大尤度比試験により,べき乗則が電圧加速度を最も良く記述することを見出した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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音声処理  ,  符号理論  ,  図形・画像処理一般  ,  専用演算制御装置  ,  パターン認識 
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