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J-GLOBAL ID：201802248233067525   整理番号：18A1044998

チャンバ条件に及ぼす下流CF_4含有プラズマプロセスの影響の研究【JST・京大機械翻訳】

Study of downstream CF₄ contained plasma process impact on chamber condition

著者 (9件)： Fu Yali (Peking University, School of software and microelectronics, Beijing, China) ,  Ma Shawming (Mattson Technology, Plasma Product Group, Fremont, California, USA) ,  Wang Yi (Peking University, School of software and microelectronics, Beijing, China) ,  Wang Ken (SMNC Etch Department, Beijing, China) ,  Jiao Mingjie (Mattson Technology, China Field Process Group, Beijing, China) ,  Zhang Nancy (Mattson Technology, China Field Process Group, Beijing, China) ,  Vaniapura Vijay (Mattson Technology, Plasma Product Group, Fremont, California, USA) ,  Phan-Vu Hai-Au (Mattson Technology, Plasma Product Group, Fremont, California, USA) ,  Elliston Bob (Mattson Technology, Plasma Product Group, Fremont, California, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： CSTIC  ページ： 1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CF_4ガス化学は,酸素(O_2)や窒素(N_2)などの他の主要化学に加えて,プラズマストリッププロセスで広く使われている。しかし,それは混合運転条件の間のチャンバー灰速度シフトに対する懸念のために広く受け入れられていない。本論文では,低比CF_4添加下流プラズマ衝撃を,基板温度<300°Cでのチャンバ灰速度に関して研究した。CF_4含有プロセスがチャンバー条件に影響を及ぼし,O_2/N_2またはO_2/4%H_2-N_2フォーミングガス(FG)灰プロセスの灰速度シフトを引き起こすことがわかった。チャンバー灰比率に及ぼすCF_4ガス比率,運転蓄積順序とチャンバーポスト条件影響を解析した。また,本研究からの結果は,CF_4含有プロセス後の灰速度低下を避けるための1つの有効な方法を提供した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *プラズマ ,  衝撃 ,  基板温度 ,  プラズマ処理
準シソーラス用語： フォーミングガス ,  運転条件 ,  *チャンバ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： チャンバ ,  下流 ,  プラズマプロセス ,  研究