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J-GLOBAL ID：201802248404806018   整理番号：18A0868656

窒素ドープインジウムスズ亜鉛薄膜トランジスタの調製とその光電特性【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and Electrical and Optical Properties of Nitrogen-doped In-Sn-Zn Oxide Thin-film Transistors

著者 (8件)： Li Zhiyue (山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209) ,  Lv Yingbo (山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209) ,  Zhao Jifeng (山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209) ,  Song Shumei (山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209) ,  Yang Bobo (山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209) ,  Xin Yanqing (山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209) ,  Wang Kunlun (山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209) ,  Yang Tianlin (山東大学 空間科学与物理学院,山東 威海,264209)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 12  ページ： 1622-1628  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： P型<100>シリコンを基板とし、無線周波数マグネトロンスパッタリング技術を採用して、室温で窒素ドープ酸化インジウムスズ亜鉛薄膜トランジスタ(ITZOTFTs)を作製し、酸化インジウムスズ亜鉛薄膜トランジスタの構造、光学、電気特性及び安定性に対する窒素流量の影響を研究した。その結果,異なる窒素流量での酸化インジウムスズ亜鉛薄膜は非晶質であり,可視光領域の平均透過率は90%で,光学バンドギャップは3.283.32eVで変化した。窒素流量が4mL/minの時、作製したITZOTFTsは、活性層とゲート誘電体界面での界面状態密度(Nmaxs)は4.3×1011cm-2、電界効果移動度(μFE)は18.72cm2/(V?s)、オンオフ比(Ion/of)は106、サブスレッショルドスイング(S)は0.39V/decで、電気学性能は最良である。ゲート正バイアスストレステスト結果は,このデバイスが最強の安定性を有することを示した。従って,適切な窒素ドーピングは,デバイスの酸素空格子点の不動態化を効果的に実現し,デバイスの界面状態密度を低減し,ITZOTFTsの電気的性質と安定性を改善した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 非晶質 ,  酸化インジウムスズ ,  透過率 ,  光学ギャップ ,  電気特性 ,  界面 ,  *薄膜トランジスタ ,  マグネトロンスパッタリング ,  *窒素 ,  流量 ,  *亜鉛
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  電界効果移動度 ,  界面状態密度 ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ITZO TFTs ,  RF magnetron sputtering ,  nitrogen doping ,  interface state density

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素ドープ ,  インジウム ,  スズ ,  亜鉛 ,  薄膜トランジスタ ,  調製 ,  光電特性