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J-GLOBAL ID：201802248442776480   整理番号：18A0160949

ガラス/ガラス構造をもつn PERT両面シリコン太陽電池モジュールにおける電位誘導劣化の研究【Powered by NICT】

Investigation of Potential-Induced Degradation in n-PERT Bifacial Silicon Photovoltaic Modules with a Glass/Glass Structure

著者 (7件)： Luo Wei (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Khoo Yong Sheng (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Singh Jai Prakash (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Wong Johnson Kai Chi (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Wang Yan (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Aberle Armin G. (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore) ,  Ramakrishna Seeram (Solar Energy Research Institute of Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 8  号： 1  ページ： 16-22  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n型不動態化エミッタ,ガラス/ガラス構造を持つ背面全拡散(n PERT)両面結晶シリコン光起電モジュールの電位誘起劣化(PID)を検討した。前面測定から,短絡電流(I_sc)の有意な損失と開回路電圧(V_oc)と曲線因子(FF)の比較的小さい損失はPIDにより観測された。裏面から観察される類似の分解挙動をI_Scの無視できる変化があった。外部量子効率と光ルミネセンス測定はI_ScとV_ocの損失は,前表面再結合の増加による可能性が最も高いことを明らかにした。FF損失解析と二ダイオードモデルフィッティングは,FF損失は主に空間電荷領域における増加した再結合に起因することを示した。さらに,裏面から強調したときn PERT両面シリコンモジュールもPIDに悩まされている。さらに,従来のp型技術に高いPID抵抗性を示す,いくつかのエチレン-酢酸ビニルとポリオレフィンはn PERT技術におけるPIDを防止するのには効果的ではないことが分かった。しかし,PID自由n PERT両面モジュール設計はナトリウムガラスの適用可能である。最後に,PIDの進行はバイアス電圧およびストレス温度に強く依存している。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 短絡電流 ,  EVA樹脂 ,  再結合 ,  空乏層 ,  *太陽電池 ,  *ガラス構造 ,  不動態化 ,  *電位 ,  *ガラス ,  ポリオレフィン
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  バイアス電圧 ,  表面再結合 ,  外部量子効率 ,  曲線因子 ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： ガラス ,  PERT ,  両面 ,  シリコン太陽電池 ,  モジュール ,  電位 ,  誘導 ,  研究