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J-GLOBAL ID：201802248452283341   整理番号：18A0414247

半導性カーボンナノチューブにおける高い熱起電力の可能性~ドープ1次元半導体の事例研究~

Possible High Thermoelectric Power in Semiconducting Carbon Nanotubes~A Case Study of Doped One-Dimensional Semiconductors~

著者 (2件)： YAMAMOTO Takahiro (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  FUKUYAMA Hidetoshi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 87  号： 2  ページ： 024707.1-024707.11  発行年： 2018年02月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己無撞着t行列近似と組合せてKubo公式を使い,窒素置換した(N置換)カーボンナノチューブ(CNT)に焦点を合せて,不純物ドープ1次元半導体の熱電特性を理論的に調べた。N置換CNTは,低N領域においてキャリア密度低下から,電気伝導率とSeebeck係数両方が高くなる1次元物質の特性に起源がある極めて高い熱電力率(PF)値を見せた。半導性CNTのPF値の化学ポテンシャル依存性も電界効果トランジスタとして研究した。PF値はバンド端の近傍で顕著な極大を見せることが分った。この結果から,「バンド端エンジニアリング」は高性能熱電材料の信頼性のある開発では極めて重要になることが実証された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導性 ,  *カーボンナノチューブ ,  *熱起電力 ,  ドーピング ,  窒素 ,  力率 ,  FET【トランジスタ】 ,  化学ポテンシャル ,  熱電材料 ,  キャリア密度 ,  バンド構造 ,  性能指数 ,  Kubo公式
準シソーラス用語： バンド端 ,  熱電性能指数

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

引用文献 (40件)：

• L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 47, 16631 (1993).
• Y.-M. Lin, X. Sun, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 62, 4610 (2000).
• O. Rabina, Y.-M. Lin, and M. S. Dresselhaus, Appl. Phys. Lett. 79, 81 (2001).
• J. P. Heremans, C. M. Thrush, D. T. Morelli, and M. C. Wu, Phys. Rev. Lett. 88, 216801 (2002).
• A. I. Boukai, Y. Bunimovich, J. Tahir-Kheli, J.-K. Yu, W. A. Goddard, III, and J. R. Heath, Nature 451, 168 (2008).

タイトルに関連する用語 (7件)： 半導性 ,  カーボンナノチューブ ,  熱起電力 ,  可能性 ,  ドープ ,  1次元 ,  研究