高信頼性酸化物薄膜トランジスタバックプレーンのためのAlOスパッタ自己整列ソース/ドレイン形成技術【JST・京大機械翻訳】

Hayashi Hiroshi; Murai Atsuhito; Miura Masanori; Imada Tatsuo; Terai Yasuhiro; Oshima Yoshihiro; Saitoh Tohru; Hiromasu Yasunobu; Arai Toshiaki

文献

J-GLOBAL ID：201802248465784759 整理番号：18A1910763

高信頼性酸化物薄膜トランジスタバックプレーンのためのAlOスパッタ自己整列ソース/ドレイン形成技術【JST・京大機械翻訳】

AlO sputtered self-aligned source/drain formation technology for highly reliable oxide thin film transistor backplane

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=18A1910763&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=18A1910763&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0996B") }}

著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 26 号： 10 ページ： 583-594 発行年： 2018年
JST資料番号： B0996B ISSN： 1071-0922 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ディスプレイ応用における高分解能で高速な駆動に適した自己整合トップゲート酸化物薄膜トランジスタ(TFT)の新しい作製プロセスを開発した。提案したプロセスでは,低抵抗酸化物半導体領域をソース/ドレイン領域として選択的に維持することを可能にするマスクとしてトップゲート電極を用いて,酸化アルミニウム(AlO)層を低抵抗酸化物半導体膜上にスパッタした。スパッタリング法によって形成されるAlO層は不純物拡散に対して高い障壁性能を提供するので,酸化物TFTの高い均一性と高い信頼性の両方が実現される。さらに,開発された技術は,高い生産性を有する大きな基板製作を可能にするために容易に拡張できる。提案したAlO障壁自己整合トップゲートTFTバックプレーンにより駆動された12インチの完全高精細有機発光ダイオード(OLED)ディスプレイはOLEDディスプレイに適用できる解決策を提供することを示した。この研究で開発された技術は,高い均一性と高い信頼性の両方を持つことが要求されるOLEDディスプレイ用の酸化物TFT背面の製造に有用である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , ,
, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： , , , , ,

表示機器 , トランジスタ

, , , , , , ,

前のページに戻る