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J-GLOBAL ID：201802248573470124   整理番号：18A0110584

Formation of silicon carbide defect qubits with optically transparent electrodes and atomic layer deposited silicon oxide surface passivation

著者 (19件)： NAYFEH O.M. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  HIGA B. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  LIU B. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  SIMS P. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  TORRES C. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  DAVIDSON B. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  LERUM L. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  ROMERO H. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  FAHEM M. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  LASHER M. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  BARUA R. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  DEESCOBAR A. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  COTHERN J. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  SIMONSEN K. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  RAMIREZ A.D. (SPAWAR Systems Center Pacific, CA, USA) ,  BANKS H. (US Naval Res. Lab, Washington, DC, USA) ,  CARTER S.G. (US Naval Res. Lab, Washington, DC, USA) ,  GASKILL D.K. (US Naval Res. Lab, Washington, DC, USA) ,  REINECKE T.L. (US Naval Res. Lab, Washington, DC, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10358  ページ： 103580I.1-103580I.11  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)