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J-GLOBAL ID：201802248602557752   整理番号：18A1805332

SiO_2/SiC(4H)構造における界面組成と物理的応力に及ぼす窒素不動態化の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of nitrogen passivation on interface composition and physical stress in SiO₂/SiC(4H) structures

著者 (11件)： Li Xiuyan (National Key Laboratory of Science and Technology on Micro/Nano Fabrication, Department of Micro/Nano Electronics, School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, People’s Republic of China) ,  Lee Sang Soo (Chemical Science and Engineering Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Li Mengjun (Department of Chemistry and Chemical Biology, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Ermakov Alexei (Department of Chemistry and Chemical Biology, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Medina-Ramos Jonnathan (Chemical Science and Engineering Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Fister Timothy T. (Chemical Science and Engineering Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Amarasinghe Voshadhi (Department of Chemistry and Chemical Biology, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Gustafsson Torgny (Department of Physics and Astronomy, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Garfunkel Eric (Department of Chemistry and Chemical Biology, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA) ,  Fenter Paul (Chemical Science and Engineering Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA) ,  Feldman Leonard C. (Department of Physics and Astronomy, Rutgers University, Piscataway, New Jersey 08854, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 13  ページ： 131601-131601-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱的に酸化したSiC/SiO_2界面における電子密度と物理的応力,および窒素取り込みによるそれらの変化を,X線反射率,Raman散乱,およびその場応力測定を用いて観察した。SiO_2/SiCにおける残留炭素種の証拠はなかった。その代わりに,約1nm厚の低電子密度層がこの界面で形成され,高い界面応力と共に界面亜酸化物(SiO_x,0.3<x<2)と一致した。界面状態密度と電子特性を改善するための既知のプロセスである窒素不動態化は,低密度成分を除去し,同時に界面応力を放出する。これらの知見に基づいて,化学的相互作用モデルを提案し,誘電/SiC界面の応力低減と元素制御の両方に関する窒素の効果を説明し,SiC上のより高い品質のゲートスタックをもたらした。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒素 ,  *界面 ,  応力測定 ,  品質 ,  電子密度 ,  残留炭素 ,  *炭化ケイ素 ,  Raman散乱 ,  *不動態化
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  低密度 ,  亜酸化物 ,  界面応力 ,  X線反射率 ,  一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  界面 ,  組成 ,  物理 ,  応力 ,  窒素 ,  不動態化