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J-GLOBAL ID：201802249056865097   整理番号：18A2043492

グラフェン/Ge Schottky接合に基づくIR光検出器【JST・京大機械翻訳】

Graphene/Ge Schottky Junction Based IR Photodetectors

著者 (2件)： Khurelbaatar Zagarzusem (Mongolian University of Science and Technology, School of Information and Communication Technology; Ulaanbaatar, 51-29, Mongolia) ,  Choi Chel Jong (Semiconductor Physics Research Center, School of Semiconductor and Chemical Engineering; Jeonju, Korea, South, 561-756)
資料名： Solid State Phenomena  (Solid State Phenomena)
巻： 271  ページ： 133-137  発行年： 2018年 
JST資料番号： T0583A  ISSN： 1012-0394  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 活性領域上のグラフェンの有無によるGe p-i-n光検出器を作製し,光検出器の光電特性に及ぼすグラフェンの影響を調べた。光検出器を,1530~1630nmの間の波長範囲におけるそれらの暗,光電流および応答性に関して特性化した。室温での250m直径の素子に対して,グラフェンを含むp-i-n光検出器の暗電流は,グラフェンを含まない光検出器と比較して著しく減少することが分かった。この改善は,効率的な光検出をもたらすグラフェン層の不動態化に起因する。従って,Ge表面上へのグラフェンの均一被覆は光検出器の光電気性能の進歩に重要な役割を果たすことが注目される。Copyright 2018 Trans Tech Publications Ltd. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *光検出器 ,  活性部位 ,  暗電流 ,  *光検出 ,  *ゲルマニウム ,  不動態化 ,  電気特性 ,  光電流 ,  キャラクタリゼーション ,  被覆 ,  接合 ,  応答特性 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 光電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ゲルマニウム ,  ヘテロ接合 ,  グラフェン ,  p-i-n光検出器

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  Ge ,  Schottky接合 ,  IR光 ,  検出器