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J-GLOBAL ID：201802249132950046   整理番号：18A0438101

GaAsにおけるゆらぎポテンシャル:Siナノワイヤ:電子構造へのポリタイプ種類の影響の重要な還元【Powered by NICT】

Fluctuating potentials in GaAs:Si nanowires: critical reduction of the influence of polytypism on the electronic structure

著者 (12件)： Ben Sedrine N. (Departamento de Fisica and I3N, Universidade de Aveiro, Campus Universitario de Santiago, 3810-193 Aveiro, Portugal. [e-mail] [e-mail]) ,  Ribeiro-Andrade R. ,  Gustafsson A. ,  Soares M. R. ,  Bourgard J. ,  Teixeira J. P. ,  Salome P. M. P. ,  Correia M. R. ,  Moreira M. V. B. ,  De Oliveira A. G. ,  Gonzalez J. C. ,  Leitao J. P.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 8  ページ： 3697-3708  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,異なるSiドーピングレベル(公称自由キャリア濃度1×10~16 8×10~16 1×10~18と5×10~18cm~ 3)を用いた分子ビームエピタクシーによるGaAs(111)B上に成長させたGaAsナノワイヤ(NW)におけるSiドーピングの効果を走査電子顕微鏡(SEM),透過型電子顕微鏡(TEM),すれすれ入射X線回折(GID),光ルミネセンス(PL)とカソードルミネセンス(CL)を用いて詳細に調べた。TEMの結果は,Siドーピングレベルとは独立してNW軸に沿ったウルツ鉱型(WZ)と閃亜鉛鉱型(ZB)セグメントの混合物を明らかにした。GID測定は,SiをドープしたZB画分のわずかな増加を示唆した。低温PLとCLスペクトルはエネルギー範囲1.41 1.48eVの鋭い線を示し,低いSiドーピングレベルの試料であった。しかし,発光強度は増加し,より高いSiドーピングレベルの試料で観察した線の明確な線幅増大が伴った。スタガードII型バンドアラインメントはGaAs中の低いドーピングレベルの光学的性質を決定するだけ:Si NW。高いSiドーピングレベルに対して,NWの電子エネルギー準位構造をGaAsにおけるSiドーパントの両性的挙動に密接に関連している静電変動電位によって決定される。添加量の多いNWでは,ポテンシャル井戸の推定深さは~96 117meVであった。著者らの結果は,変動電位の発生は結晶相に依存しないことを明らかにし,ポリタイプにより課せられた制限を克服できることを示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  ドーピング ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  ドーパント ,  陰極線ルミネセンス ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  MBE成長 ,  *ポリタイプ ,  スペクトル ,  電位 ,  *ヒ化ガリウム ,  電子状態 ,  光学的性質

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  ゆらぎ ,  ポテンシャル ,  Si ,  ナノワイヤ ,  電子構造 ,  タイプ ,  還元