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J-GLOBAL ID：201802249350078701   整理番号：18A0129208

原子層蒸着したAl_2O_3/4H-SiCの改善された界面および電気的性質【Powered by NICT】

Improved interface and electrical properties of atomic layer deposited Al₂O₃/4H-SiC

著者 (9件)： Suvanam Sethu Saveda (School of Information and Communication Technology, KTH Royal Institute of Technology, Electrum 229, 164 40 Kista, Sweden) ,  Usman Muhammed (School of Information and Communication Technology, KTH Royal Institute of Technology, Electrum 229, 164 40 Kista, Sweden) ,  Usman Muhammed (Experimental Physics Laboratories, National Centre for Physics, Quaid-i-Azam University, Islamabad, Pakistan) ,  Martin David (School of Engineering, University of Warwick, Coventry, CV4 7 AL, United Kingdom) ,  Yazdi Milad. G. (School of Information and Communication Technology, KTH Royal Institute of Technology, Electrum 229, 164 40 Kista, Sweden) ,  Linnarsson Margareta (School of Information and Communication Technology, KTH Royal Institute of Technology, Electrum 229, 164 40 Kista, Sweden) ,  Tempez Agnes (Horiba France SAS, CS 45002, 91120, Palaiseau, France) ,  Gotelid Mats (School of Information and Communication Technology, KTH Royal Institute of Technology, Electrum 229, 164 40 Kista, Sweden) ,  Hallen Anders (School of Information and Communication Technology, KTH Royal Institute of Technology, Electrum 229, 164 40 Kista, Sweden)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 433  ページ： 108-115  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,4H-SiC上に原子層堆積したAl_2O_3改良された界面と電気的性質のプロセス最適化を実証した。この目的のために試料を二前蒸着表面洗浄プロセス,すなわちCP1とCP2で処理した。前者はSiC処理で使用される典型的な表面洗浄方法であるが,後者は付加的な弱いRCA_1洗浄段階を持っている。洗浄及び堆積に加えて,N_2O雰囲気中で種々の温度でのポスト誘電体アニーリング(PDA)の影響を調べた。走査型電子顕微鏡による分析は,500と800°Cでのアニーリング後にAl_2O_3表面上の構造欠陥の存在を示した。これらの欠陥は1100°Cでのアニーリング後に消失し,おそらくAl_2O_3膜の緻密化によるものであった。界面分析はX線光電子分光法(XPS)と飛行時間中間エネルギーイオン散乱(ToF MEIS)を用いて行った。両方のこれらの測定はCP1とCP2の両方の界面SiO_x(0<x<2)層の形成を示し,より高い温度の増加した厚さを示した。さらに,亜酸化物界面層の品質はプレ堆積洗浄に依存することが分かった。結論として,より良い電気的性質を有する改良された界面は1100°CでアニールしたCP2試料で示された,低い酸化物電荷,強く還元されたフラットバンド電圧,漏れ電流,高い絶縁破壊電圧が得られた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 緻密化 ,  *炭化ケイ素 ,  走査電子顕微鏡 ,  アルミニウム ,  *界面 ,  漏れ電流 ,  誘電体 ,  *蒸着 ,  *電気的性質 ,  X線光電子スペクトル ,  酸化物 ,  焼なまし ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  フラットバンド電圧 ,  界面層 ,  表面洗浄 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 4H-SiC ,  高K誘電体 ,  Al_2O_3 ,  界面トラップ密度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子層蒸着 ,  4H-SiC ,  界面 ,  電気的性質