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J-GLOBAL ID：201802249391234027   整理番号：18A0194174

16nmバルクFinFET技術におけるフリップフロップの重イオン誘起シングルイベント応答の周波数依存性【Powered by NICT】

Frequency Dependence of Heavy-Ion-Induced Single-Event Responses of Flip-Flops in a 16-nm Bulk FinFET Technology

著者 (6件)： Zhang H. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Jiang H. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Bhuva B. L. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Kauppila J. S. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Holman W. T. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Massengill L. W. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 65  号： 1  ページ： 413-417  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先端技術ノードで作製した集積回路は周波数のギガヘルツ領域で動作することが期待される。これらの周波数では,シングルイベントトランジェント(SET)-誘起誤差はフリップフロップ(FF)設計のためのシングルイベント(SE)断面積の有意な増加をもたらした。FinFETトランジスタに対しては,物理的構造は平面構造から著しく変化した。これらの変化は,同じイオン走向のための平面技術のそれよりも有意に少なかった収集電荷をもたらし,短いSETパルス発生をもたらした。これらの結果は,正確なSE予測能力のための周波数の関数としてFF設計のためのSE断面積の評価を必要とした。回路レベルシミュレーションと重イオン実験は,16nmバルクFinFET技術における異なる間隔選択による硬化二重連結した細胞に基づくFF設計のためのSE断面積の周波数依存性を調べるために実施した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 集積回路 ,  *周波数 ,  *周波数依存性 ,  *イオン ,  トランジスタ ,  断面積 ,  平面構造 ,  *双安定回路 ,  *重イオン ,  電荷
準シソーラス用語： SET【シングルイベント】 ,  ギガヘルツ ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： バルク ,  FinFET ,  フリップフロップ ,  重イオン ,  誘起 ,  イベント ,  応答 ,  周波数依存性