FUKUDA Koichi について
National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
ASAI Hidehiro について
National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
HATTORI Junichi について
National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
SHIMIZU Mitsuaki について
National Inst. of Advance Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について
HASHIZUME Tamotsu について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
Japanese Journal of Applied Physics について
深い準位 について
窒化ガリウム について
化合物半導体 について
薄膜コンデンサ について
容量電圧特性 について
過渡解析 について
エネルギー準位 について
MOSキャパシタ について
トラップ準位 について
過渡シミュレーション について
深準位 について
LCR部品 について
深準位 について
トラップ について
GaN について
MOSキャパシタ について
電圧特性 について
シミュレーション法 について