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J-GLOBAL ID：201802249992309881   整理番号：18A0426481

増強されたオプトエレクトロニクス特性を有する結晶化InBiS_3薄膜【Powered by NICT】

Crystallized InBiS₃ thin films with enhanced optoelectronic properties

著者 (9件)： Ali N. (Department of Physics, Faculty of Science, University Technology Malaysia, Skudai, 81310 Johor, Malaysia) ,  Ali N. (Department of Physics, GPG Jehanzeb College, Saidu Sharif Swat, 19130, KPK, Pakistan) ,  Hussain Arshad (Department of Physics, Faculty of Science, University Technology Malaysia, Skudai, 81310 Johor, Malaysia) ,  Hussain Arshad (Faculty of Engineering and Environment, Northumbria University, Newcastle upon Tyne, NE1 8ST, UK) ,  Ahmed R. (Department of Physics, Faculty of Science, University Technology Malaysia, Skudai, 81310 Johor, Malaysia) ,  Ahmed R. (Centre for High Energy Physics, University of the Punjab, Quid-e-Azam Campus, University of the Punjab, 54590-Lahore, Pakistan) ,  Omar M. Firdaus Bin (Department of Physics, Faculty of Science, University Technology Malaysia, Skudai, 81310 Johor, Malaysia) ,  Sultan M. (Nanoscience and Technology Department, National Centre for Physics, Islamabad, 44000 Pakistan) ,  Fu Yong Qing (Faculty of Engineering and Environment, Northumbria University, Newcastle upon Tyne, NE1 8ST, UK)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 436  ページ： 293-301  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,インジウム硫化ビスマス薄膜の作製に使用した一段階熱蒸発法と,二源(インジウムか粒とBi_2S_3粉末)の同時蒸着の相乗効果を,種々のキャラクタリゼーション法を用いて調べた。X線回折(XRD)分析は,熱処理した試料での結晶性斜方晶系構造を確認した。得られた膜試料の表面粗さと結晶サイズはアニーリング温度の上昇と共に増加した。X線光電子分光法を用いた解析は,得られた膜のInBiS_3構造の形成,XRDの結果によって確認されたを示した。アニールした試料の光吸収係数値は,太陽スペクトルの可視領域における10~5cm~ 1の順であることが分かった。作製した試料の光学バンドギャップエネルギーと電気抵抗率はアニーリング温度(200°Cから350°Cへ)の増加,太陽電池応用のために調製したInBiS_3薄膜の適合性を示している減少(2.2から1.3eVまで,および0.3から0.01Ωcmに,それぞれから)ことが観察された。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *結晶化 ,  *結晶 ,  X線光電子スペクトル ,  インジウム ,  電気抵抗率 ,  同時蒸着 ,  光学ギャップ ,  *オプトエレクトロニクス ,  *薄膜 ,  結晶度 ,  X線光電子分光法 ,  相乗作用 ,  斜方晶系 ,  X線回折
準シソーラス用語： アニーリング温度 ,  硫化ビスマス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  太陽光発電 ,  光学的性質 ,  XRD ,  電気的性質

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 増強 ,  オプトエレクトロニクス ,  結晶化 ,  薄膜