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J-GLOBAL ID：201802250079011730   整理番号：18A1137600

フィールドプレートによる高電圧Ga_2O_3垂直Schottky障壁ダイオードの設計考察【JST・京大機械翻訳】

Design consideration of high voltage Ga₂O₃ vertical Schottky barrier diode with field plate

著者 (3件)： Choi J.-H. (School of Electronic and Electrical Engineering, Hongik University, Seoul, Republic of Korea) ,  Cho C.-H. (Department of Electronic and Electrical Engineering, Hongik University, Sejong-Si, Republic of Korea) ,  Cha H.-Y. (School of Electronic and Electrical Engineering, Hongik University, Seoul, Republic of Korea)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 9  ページ： 1170-1171  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ガリウム(Ga_2O_3)に基づく垂直Schottky障壁ダイオード(SBD)を高電圧スイッチング応用のために設計した。p型Ga_2O_3エピタクシー成長またはp型イオン注入技術はまだ開発されていないので,本研究では,陽極端における電場を抑制することにより破壊電圧を最大化するために,フィールドプレート構造を採用した。TCADシミュレーションを用いて,Ga_2O_3SBDの物理的解析を行い,その結果,フィールドプレート下の絶縁体に注意を払わなければならないことが分かった。Ga_2O_3の極端に高い破壊電界特性のために,高誘電率と高破壊電界の両方を有する絶縁体を,フィールドプレート形成のために使用しなければならない。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  イオン注入 ,  シミュレーション ,  アノード ,  スイッチング ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電場 ,  酸化ガリウム ,  絶縁体
準シソーラス用語： 高誘電率 ,  TCAD ,  絶縁破壊電圧 ,  *フィールドプレート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化ガリウム ,  フィールドプレート ,  破壊電圧 ,  高誘電率 ,  Schottky障壁ダイオード

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： フィールドプレート ,  高電圧 ,  垂直 ,  Schottky障壁ダイオード ,  設計