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J-GLOBAL ID：201802250321967945   整理番号：18A1506450

Ge/Siヘテロ接合トンネル電界効果トランジスタの電気特性に及ぼすGe源中の不純物濃度の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of impurity concentration in Ge sources on electrical properties of Ge/Si hetero-junction tunneling field-effect transistors

著者 (6件)： Bae Tae-Eon (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Kato Kimihiko (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Suzuki Ryota (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Nakane Ryosho (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Takenaka Mitsuru (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Takagi Shinichi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 6  ページ： 062103-062103-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge/Siヘテロ接合トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の電気性能に関して,Ge源に最適なBドーピング濃度が存在することを実験的に実証した。サブ閾値スイング(SS)における劣化は,1×10~20cm-3より高いソースB濃度をもつTFETsに対して観察され,それはGeにおける退化を引き起こすことができる。このソース濃度依存性はFermi準位(E_F)の縮退によるエネルギーフィルタリング効果の抑制によって説明できる。この解釈は,異なるソース濃度をもつGe/Si TFETにおけるSSの温度依存性によって支持される。また,60.6mV/decの低いSS値,82.3nA/μmのI_on値,および6.8×106の大きなI_on/I_off比が,Ge源中の最適化B濃度を有する1.1%の引張歪チャネルに対して得られた。TFETsの電気的特性に及ぼすソースE_Fの影響は,より小さいE_gを有する歪SiチャネルTFETsに対してより顕著であることが分かった。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  *ゲルマニウム ,  *不純物濃度 ,  温度依存性 ,  濃度依存性 ,  *ケイ素 ,  電気的性質 ,  *ヘテロ接合 ,  Fermi準位 ,  *電気特性 ,  チャネル ,  最適化
準シソーラス用語： 引張歪 ,  サブ閾値スイング ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  電気特性 ,  不純物濃度