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J-GLOBAL ID：201802250441540204   整理番号：18A0438778

3.6MV/cmを超える0.5mm電流密度と横方向破壊電界を用いた高Al含有AlGaNトランジスタ【Powered by NICT】

High Al-Content AlGaN Transistor With 0.5 A/mm Current Density and Lateral Breakdown Field Exceeding 3.6 MV/cm
著者 (12件)：
Bajaj Sanyam

Bajaj Sanyam について

(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)

Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA について

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Allerman Andrew

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(Sandia National Labs, Albuquerque, NM, USA)

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Armstrong Andrew

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(Sandia National Labs, Albuquerque, NM, USA)

Sandia National Labs, Albuquerque, NM, USA について

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Razzak Towhidur

Razzak Towhidur について

(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)

Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA について

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Talesara Vishank

Talesara Vishank について

(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)

Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA について

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Sun Wenyuan

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(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)

Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA について

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Sohel Shahadat H.

Sohel Shahadat H. について

(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)

Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA について

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Zhang Yuewei

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(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)

Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA について

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Lu Wu

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(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)

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Arehart Aaron R.

Arehart Aaron R. について

(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)

Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA について

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Akyol Fatih

Akyol Fatih について

(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)

Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA について

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Rajan Siddharth

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(Electrical and Computer Engineering Department, The Ohio State University, Columbus, OH, USA)

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資料名：
IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)

IEEE Electron Device Letters について


巻： 39  号： 2  ページ： 256-259  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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有機金属化学気相蒸着により成長させた超広バンドギャップ(UWBG)Al_0 7Ga_0-0.3Nチャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)について報告した。逆Al組成傾斜Ohm接触層と20nm Al_2O_3ゲート誘電体を用いて,250nm厚Al_0 7Ga_0 3N:SiチャネルMOSFETは,0.5mmの最大電流密度,Al組成>0.25を持つAlGaNチャンネルについて報告された最高値が得られた。1.7 μmのゲート-ドレイン間隔(L_GD)をもつトランジスタは~620Vの絶縁破壊電圧(V_DG)を示し,~3.6MV/cmの平均横方向破壊電場中を移動する。高度RF応用のための有望な候補としてUWBG AlGaNを確立した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
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