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J-GLOBAL ID:201802250688985483   整理番号:18A1510352

PVDにより作製したナノ粒子を用いた低温微細ピッチウエハレベルCu-Cuボンディング【JST・京大機械翻訳】

Low Temperature Fine-Pitch Wafer-Level Cu-Cu Bonding Using Nanoparticles Fabricated by PVD
著者 (4件):
資料名:
巻: 2018  号: ECTC  ページ: 287-292  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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物理蒸着(PVD)により作製した銅ナノ粒子(Cu NPs)を用いて,微細ピッチ相互接続によるウエハレベルCu-Cu結合を実現した。20μmピッチCuパッドによる試験車両設計を紹介した。Al配線とTiW/Cuパッドをシリコンウエハ上に作製した。次に,Cu NPsを,高圧マグネトロンスパッタリングにより表面改質として基板上に堆積し,Cu NPsの形態を原子間力顕微鏡(AFM)により調べた。ウエハ接合プロセスは,40MPaの圧力下で3分間,200°Cで達成され,接着ウエハはチップに送られた。金型せん断試験を行い,18.50MPaの平均強度に達した。せん断試験後の破面を解析し,混合破壊モードを観察した。走査電子顕微鏡(SEM)により,Cu NPsとの20μm微細ピッチCu-Cu相互接続の断面図を調べた。これらの結果は,信頼できる低温Cu-Cu接合法が実現され,微細ピッチ3D集積のための有望な技術であることを実証した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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