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J-GLOBAL ID：201802250720827279   整理番号：18A1597007

Cu-CNT複合材料相互接続におけるエレクトロマイグレーションの理解:多重スケール電熱シミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Understanding Electromigration in Cu-CNT Composite Interconnects: A Multiscale Electrothermal Simulation Study

著者 (21件)： Lee Jaehyun (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Berrada Salim (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Adamu-Lema Fikru (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Nagy Nicole (Center Nanoelectronic Technologies Department, Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Georgiev Vihar P. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Sadi Toufik (Department of Neuroscience and Biomedical Engineering, Aalto University, Aalto, Finland) ,  Liang Jie (Microelectronics Department, CNRS-LIRMM, Montpellier, France) ,  Ramos Raphael (Nanomaterials Department, CEA-LITEN, University of Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Carrillo-Nunez Hamilton (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Kalita Dipankar (Nanomaterials Department, CEA-INAC, University of Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Lilienthal Katharina (Center Nanoelectronic Technologies Department, Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Wislicenus Marcus (Center Nanoelectronic Technologies Department, Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Pandey Reeturaj (Microelectronics Department, CNRS-LIRMM, Montpellier, France) ,  Chen Bingan (Nanoinstruments Department, AIXTRON Ltd., Cambridge, U.K.) ,  Teo Kenneth B. K. (Nanoinstruments Department, AIXTRON Ltd., Cambridge, U.K.) ,  Goncalves Goncalo (Nanoinstruments Department, AIXTRON Ltd., Cambridge, U.K.) ,  Okuno Hanako (Nanomaterials Department, CEA-INAC, University of Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Uhlig Benjamin (Center Nanoelectronic Technologies Department, Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Dresden, Germany) ,  Todri-Sanial Aida (Microelectronics Department, CNRS-LIRMM, Montpellier, France) ,  Dijon Jean (Nanomaterials Department, CEA-LITEN, University of Grenoble Alpes, Grenoble, France) ,  Asenov Asen (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 9  ページ： 3884-3892  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Cu-カーボンナノチューブ(CNT)複合配線におけるエレクトロマイグレーション(EM)問題の階層的シミュレーション研究を報告した。本論文は,多重スケール電熱シミュレーションフレームワークを用いた活性化エネルギーと自己加熱温度の研究に基づいている。最初に,密度汎関数理論と反応力場法を用いて,接触抵抗を含むCu-CNT複合材料の電気的および熱的性質を調べた。対応する結果を,自己加熱現象を考慮した巨視的電熱シミュレーションに用いた。シミュレーションにより,Cu原子はバルクCu及びCu-CNT複合材料において類似の活性化エネルギーを有するが,Cu-CNT複合材料相互接続はCNTの大きなLorenz数によりEMに対してより抵抗性であることを示した。さらに,相互接続における輸送方向に沿った大きくて均一な伝導率がEMを最小化するための最も重要な設計ルールの一つであることを見出した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 配線 ,  *エレクトロマイグレーション ,  接触抵抗 ,  *シミュレーション ,  *銅 ,  密度汎関数法 ,  *電気加熱 ,  *相互接続 ,  加熱温度 ,  活性化エネルギー ,  熱特性 ,  *複合材料
準シソーラス用語： *熱シミュレーション ,  自己加熱 ,  *マルチスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (10件)： Cu ,  CNT ,  複合材料 ,  相互接続 ,  エレクトロマイグレーション ,  理解 ,  多重スケール ,  電熱 ,  シミュレーション ,  研究