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J-GLOBAL ID：201802250827669533   整理番号：18A1489942

電界依存移動度による有機ダイオードの逆バイアス容量への負の寄与:障壁高さと輸送パラメータの決定【JST・京大機械翻訳】

Negative contribution to the reverse bias capacitance of organic diodes due to field dependent mobility: Determination of barrier height and transport parameters

著者 (3件)： Kumar Sunil (Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India) ,  Verma Upkar K. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India) ,  Mohapatra Y. N. (Department of Physics, Indian Institute of Technology Kanpur, Kanpur 208016, India)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 3  ページ： 035501-035501-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： m-MTDATAを用いたpドープ/真性層界面から成る小分子ベース単一キャリアダイオードの静電容量電圧特性を解析した。このようなホモ接合ダイオードにおいて,真性層厚が10~50nmの間で変化する場合,深い逆バイアスにおける静電容量はほぼ指数関数的に低下し,臨界電場を超えて幾何学的容量(C_g)以下になる。逆バイアスにおける電荷注入機構に基づいて解釈される容量のこの減少に主に焦点を合わせた。このような場合の小信号容量は,電荷輸送により導入される遅延時間に直接関係する負の寄与を持つことを示した。したがって,電荷輸送機構を用いて深い逆バイアスにおいて静電容量特性をモデル化し,従って,評価した障壁高さは電流密度-電圧(J-V)特性から計算した値と非常に良く一致した。この技術により,移動度の決定も可能になり,その温度と磁場依存性を通して無秩序パラメータを得ることができる。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  静電容量 ,  HOMO ,  界面 ,  キャリア注入 ,  モデリング ,  *電場 ,  *ダイオード ,  ドーピング ,  電流密度 ,  電圧
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  *障壁高さ ,  *逆バイアス ,  *有機ダイオード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電界 ,  移動度 ,  有機ダイオード ,  バイアス ,  障壁高さ ,  輸送 ,  パラメータ