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J-GLOBAL ID：201802251112144586   整理番号：18A0607623

Taucプロット斜面定量化の評価:モデル系としてのZnO薄膜【Powered by NICT】

Assessing Tauc Plot Slope Quantification: ZnO Thin Films as a Model System

著者 (2件)： Coulter Jennifer B. (Department of Materials Science and Engineering, Rutgers University, Piscataway, NJ, 08854-8065, USA) ,  Birnie Dunbar P. III (Department of Materials Science and Engineering, Rutgers University, Piscataway, NJ, 08854-8065, USA)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 255  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201700393  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜を特性化するための最も頻繁に用いられる方法の1つは,UV-Vis吸収である。近吸収端領域は切片はバンドギャップを与える簡単な表式に適合することができ,適合指数は直接的または間接的な電子遷移を明らかにした。[See Taucら,Physica状態Solidi.15,p.627(1966);自然に,これらは通常「Tauc」プロットと呼ばれる。]の以前の研究では,Tauc法を用いて当てはめ直接バンドギャップは非常に正確である,~1%[参照Viezbickeら,Phys.Status SolidiB252と1700(2015)]できることがわかった。なお,これらのTaucプロットの勾配はあまり定量化し,勾配は重要なバンド構造パラメータに直接であった。本研究では,モデル直接ギャップ材料としてZnOのためのTaucプロットの傾きの再現性を調べ,理論的に導かれた勾配を持つこれらの実験値を比較した。バンドギャップ精度とは対照的に,実験的な傾き値は数桁の大きさで変化した。勾配値のヒストグラムは,Urbachテイルの寄与を示すTaucプロットのための有意なよりコンパクトであった。これらのケースでは,Tauc傾斜をキャリア有効質量のような他の重要なバンド特性の大きさの定量化を提供することができる。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒストグラム ,  電子遷移 ,  *薄膜 ,  再現性 ,  吸収端 ,  *酸化亜鉛 ,  構造パラメータ ,  有効質量 ,  バンドギャップ ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  *ZnOフィルム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： バンドギャップ ,  近吸収端吸収率比 ,  光吸収 ,  Taucプロット ,  薄膜 ,  ZnO

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： プロット ,  斜面 ,  定量化 ,  評価 ,  モデル ,  ZnO薄膜