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J-GLOBAL ID：201802251238160302   整理番号：18A1036841

Raman分光法による非晶質Si_1-xGe_x薄膜の結晶化に及ぼす焼なまし雰囲気の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of annealing atmosphere on crystallization of amorphous Si_1-x Ge _x thin film by Raman spectroscopy

著者 (3件)： Makino Nobuaki (Department of Nanosystem Science, Yokohama City University, 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama 236-0027, Japan) ,  Makino Nobuaki (Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation, 33 Shin-Isogo-Cho, Isogo-ku, Yokohama 235-0017, Japan) ,  Shigeta Yukichi (Department of Nanosystem Science, Yokohama City University, 22-2 Seto, Kanazawa-ku, Yokohama 236-0027, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 658  ページ： 61-65  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-Si_1-xGe_x薄膜における非晶質構造の結晶化挙動に及ぼすアニーリング雰囲気の影響をRaman分光法で研究した。種々の雰囲気下で800°Cでa-Si_1-xGe_x(x=0,0.14,0.27)薄膜をアニールし,Ramanスペクトルの変化を観測した。窒素アニーリング雰囲気はa-Si膜の結晶化を促進するが,Ar雰囲気下および真空中でのアニーリングでは結晶化は促進されないことを確認した。Ge原子を含むa-Si薄膜の場合には,a-Si_1-xGe_x(x≧0.25)膜の結晶化は促進されなかったが,N_2雰囲気中でのアニーリングではa-Si_1-xGex_x(x≧0.25)膜が結晶化した。しかし,a-Si_1-xGex_x(x=0,0.14,0.27)の結晶化はAr雰囲気下または真空中でのアニーリングによって促進されなかった。Si_1-xGe_xのランダムネットワークにおけるGe原子の存在により誘起された歪は,25%以下の含有量で,非晶質構造を安定化し,N_2雰囲気下でのアニーリングにおいてさえ,結晶化を妨げた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *結晶化 ,  *焼なまし ,  *Raman分光法 ,  Ramanスペクトル ,  窒素 ,  *薄膜 ,  *非晶質
準シソーラス用語： ランダムネットワーク ,  結晶化挙動 ,  非晶質構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 非晶質構造 ,  結晶化 ,  Raman分光法 ,  シリコン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Raman分光法 ,  薄膜 ,  結晶化 ,  焼なまし ,  雰囲気