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J-GLOBAL ID：201802251271022443   整理番号：18A1028262

シリコン太陽光発電における有限対無限源エミッタ:遷移金属ゲッタリングへの影響【JST・京大機械翻訳】

Finite-vs. infinite-source emitters in silicon photovoltaics: Effect on transition metal gettering

著者 (14件)： Laine Hannu S. (Department of Micro- and Nanosciences, Aalto University, 02150 Espoo, Finland) ,  Vahanissi Ville (Department of Micro- and Nanosciences, Aalto University, 02150 Espoo, Finland) ,  Liu Zhengjun (Department of Micro- and Nanosciences, Aalto University, 02150 Espoo, Finland) ,  Huang Haibing (Department of Micro- and Nanosciences, Aalto University, 02150 Espoo, Finland) ,  Magana Ernesto (Department of Nanoengineering, University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093) ,  Morishige Ashley E. (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139) ,  Khelifati Nabil (Research Center in Semiconductor Technology for the Energetic (CRTSE), 16038 Algiers, Algeria) ,  Husein Sebastian (Arizona State University, Tempe, AZ 85287) ,  Lai Barry (Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Argonne, IL 60439) ,  Bertoni Mariana (Arizona State University, Tempe, AZ 85287) ,  Bouhafs Djoudi (Research Center in Semiconductor Technology for the Energetic (CRTSE), 16038 Algiers, Algeria) ,  Buonassisi Tonio (Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139) ,  Fenning David P. (Department of Nanoengineering, University of California, San Diego, La Jolla, CA 92093) ,  Savin Hele (Department of Micro- and Nanosciences, Aalto University, 02150 Espoo, Finland)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PVSC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有害金属不純物の制御は,シリコン太陽電池性能にとって重要である。従来のシリコン太陽電池エミッタは無限ソース領域で拡散し,エミッタに向かって強い点欠陥偏析を引き起こし,バルク少数キャリア拡散長を増大させることが知られている。イオン注入と化学蒸着(CVD)ガラスの出現により,有限ソース拡散エミッタが興味を引いている。本論文では,有限ソース拡散エミッタに存在する支配的ゲッタリング機構を解明することにより,それらの採用を増加させることを目的とした。著者らの発見は,無限源拡散が効果的な偏析ゲッタリングに重要であるが,高い表面リン濃度は有限ソース拡散による偏析ゲッタリングを活性化できることを示す。イオン注入エミッタの場合,従来の偏析ゲッタリングは注入層における不純物析出によりかなり増強される可能性がある。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ガラス ,  イオン注入 ,  拡散距離 ,  点欠陥 ,  不純物 ,  *リン ,  *太陽光発電 ,  *ケイ素 ,  偏析 ,  少数キャリア ,  *ゲッタリング ,  化学蒸着
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  有害金属 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  太陽光発電 ,  無限 ,  エミッタ ,  遷移金属 ,  ゲッタリング