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J-GLOBAL ID：201802251300922969   整理番号：18A0607609

TiO_2(110)上の中性ドーパントSi,Ge,およびSnの生物活性に及ぼす表面電子構造の影響:DFT研究【Powered by NICT】

The Effect of Surface Electronic Structure on the Bioactivity of Neutral Dopant Si, Ge, and Sn on TiO₂ (110): A DFT Study

著者 (5件)： Xu Aoni (Corrosion and Protection Center, Key Laboratory for Corrosion and Protection (MOE), University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, P.R. China) ,  Dong Chaofang (Corrosion and Protection Center, Key Laboratory for Corrosion and Protection (MOE), University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, P.R. China) ,  Wei Xin (Corrosion and Protection Center, Key Laboratory for Corrosion and Protection (MOE), University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, P.R. China) ,  Zhang Yanxian (Corrosion and Protection Center, Key Laboratory for Corrosion and Protection (MOE), University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, P.R. China) ,  Li Xiaogang (Corrosion and Protection Center, Key Laboratory for Corrosion and Protection (MOE), University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 255  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201700185  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,密度汎関数理論に基づく第一原理計算を中性要素ドーパント(Si, Ge, Sn)で修飾したルチル表面の電子特性と吸着挙動を研究するために用いた。結果から,Snドープした表面は最小の仕事関数(7.07 eV)を持ち,Geドープした表面は最低の伝導帯端(1.28 eV)を持つことを示した。さらに,修飾ルチル表面上のH_2OとArg-Gly-Asp(RGD)分子の吸着挙動を修飾した歯科インプラント表面の生体適合性を見積もるために計算した。実溶液環境をシミュレートする目的のために,Gauss型09プログラムコードで計算した,吸着質の溶媒和の自由エネルギーを考慮した。H_2Oの吸着計算の結果は,Snドープした表面は,他の改質表面,その低い仕事関数と一致するより負の吸着エネルギー( 3.15 eV)と高い電荷移動( 0.1)を持つことを示した。Arg-Gly-Aspの吸着計算の結果は,Geをドープした表面は,RGD中のTi原子とO原子の間の短い距離(1.95Å)であり,状態の部分状態密度と類似していることを示した。すべての結果は,インプラント表面の電子構造はその生物活性に有意な影響を及ぼし,歯科インプラント表面上の改質法の設計にも有用であることを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸着エネルギー ,  密度汎関数法 ,  仕事関数 ,  電荷移動 ,  *ドーパント ,  *ケイ素 ,  *電子構造 ,  ドーピング ,  *生物活性 ,  吸着 ,  ルチル ,  *ゲルマニウム ,  *チタン ,  *スズ
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 生物活性 ,  密度汎関数理論 ,  状態の密度 ,  歯科インプラント ,  表面改質 ,  TiO ,  仕事関数

分類 (4件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 中性 ,  ドーパント ,  Si ,  Ge ,  Sn ,  生物活性 ,  表面電子構造 ,  DFT ,  研究